鈦冶金過(guò)程的沸騰氯化主要在沸騰氯化爐內(nèi)進(jìn)行，而內(nèi)襯耐火材料則是沸騰氯化爐最為重要的組成部分，是關(guān)系到其能否正常使用和運(yùn)行的關(guān)鍵。

一：氯化爐內(nèi)襯結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)介及損壞原因

整個(gè)沸騰氯化爐內(nèi)襯的主要作用是形成氣流邊界，形成撞擊流的約束，使得物料合理流態(tài)化。并在高溫反應(yīng)下起到隔熱、絕熱的作用。在整個(gè)運(yùn)行過(guò)程中，氯化爐內(nèi)成分十分復(fù)雜，主要成分為：高鈦渣顆粒，TiCI₄、CL₂、0₂、CO、CO₂、N₂等。

爐底和反應(yīng)段內(nèi)襯正常工作溫度為900～1O00℃，這一區(qū)域主要承受爐料在撞擊流作用下 的直接沖擊和摩擦作用。該部位因承受物料的沖擊、上升的磨損氣體侵入、碳沉積發(fā)生反應(yīng)而容易發(fā)生內(nèi)襯材料的損壞。其損壞原因主要有 ：

a．熱的作用：即熱負(fù)荷、熱沖擊 ；

b．化學(xué)作用：由于氯氣、堿金屬、渣等化學(xué)元素的侵入，造成內(nèi)襯材料渣化和損壞，以及氯氣與耐火材料的化學(xué)作用；

c．機(jī)械作用：由于物料顆粒的摩擦和含塵煙氣磨損造成內(nèi)襯材料的受損。

二：氯化爐內(nèi)襯損壞機(jī)理分析

沸騰氯化爐內(nèi)襯材料主要采用AL2O3和SiO2，物相組成主要為莫來(lái)石，主要化學(xué)成份及物理性能測(cè)試見(jiàn)表1

從熱力學(xué)上看，AL2O3—SiO2系材料各物相在氯化反應(yīng)中：莫來(lái)石相A₃S₂最不穩(wěn)定,其成份見(jiàn)表2，石英相SiO2最穩(wěn)定，剛玉相AL2O3居中;在碳熱還原中;石英相最不穩(wěn)定,剛玉相最穩(wěn)定,莫來(lái)石相居中。在實(shí)際中，爐襯材料是如何損壞的，其過(guò)程是怎樣發(fā)生的，這要從殘 磚顯微結(jié)構(gòu)分析人手。

從殘磚顯微結(jié)構(gòu)和能譜分析結(jié)果來(lái)看,從原質(zhì)層、變質(zhì)層到反應(yīng)層,爐襯耐火材料中(主要為莫來(lái) 石相和石英相)的AL2O3/SiO2。比值是不斷升高的,說(shuō)明爐襯材料中的SiO2是向外不斷“流失”的。從動(dòng)力學(xué)上來(lái),耐火材料中的SiO2,以固相形式向外遷移是十分困難的。從熱力學(xué)上看，在磚內(nèi)部(變質(zhì)層)沒(méi)有C參與反應(yīng)的情況下，CL₂與SiO₂反應(yīng)形成 SiCL_4,以SiCL₄氣體形式向外遷移是不可能的。因此,在氯化爐工況條件下,爐襯材料中內(nèi)部SiO₂ 的“流失”現(xiàn)象只能以SiO氣體形式向外遷移，這可能是SiO2碳熱還原反應(yīng)所引起。SiO₂碳熱還原反應(yīng)過(guò)程如下：

SiO2+2C=Si+2C0(g) (1)

si+C=SiC (2)

SiO2+3C=SiC+2C0(g) (3)

SiO2+C=SiO(g)+CO(g) (4)

SiO(g)+2C=SiC+CO(g) (5)

SiO(g)+C+2CL₂(g)=SiCL₄(g)+CO(g) (6)

SiO2+CO(g)=SiO(g)+CO₂(g)△G=△G°+RTIn(P_si0 P_c02/P_co) (7)

根據(jù)相律，在Si—C一0系統(tǒng)在不變點(diǎn)同時(shí)可有5個(gè)以上的相：P=3+2=5。即在形成SiC的溫 度條件下，此反應(yīng)開(kāi)始發(fā)生溫度為1350~C左右，該Si-C-0系統(tǒng)可含有下列單獨(dú)物質(zhì)：C，Si， SiO，SiO2，SiC、CO和 CO2。

在C過(guò)量并直接參與反應(yīng)的情況下，反應(yīng)體系中不存在CO 。從動(dòng)力學(xué)角度看，基元反應(yīng)多數(shù)是單分子反應(yīng)和雙分子反應(yīng)，三分子反應(yīng)不多，四分子反應(yīng)更少，所以除少部分緊密結(jié)合、相互包圍的SiO2與 C直接通過(guò)式所示固相反應(yīng)生成SiC晶核之外，SiO與3個(gè)C分子同時(shí)相遇發(fā)生反應(yīng)的幾率較小，即式 (3)所示反應(yīng)發(fā)生的程度非常有限，更應(yīng)被視為幾個(gè)加合反應(yīng)的總反應(yīng)式。在Si—C一0系統(tǒng)反應(yīng)中，C和SiO2為反應(yīng)原料，Si和 SiO是反應(yīng)的中間產(chǎn)物，SiC和CO為最終產(chǎn)物。Si的熔點(diǎn)為1410℃，沸點(diǎn)為2355℃，而SiO在1180℃以下任何溫度都不穩(wěn)定，在高溫下以氣態(tài)存在，所以體系中只存在SiO2、C、CO、SiO、SiC等幾種可能的物相�？梢源_定，碳熱還原SiO2，的基元反應(yīng)步驟為：SiO2+C=SiO(g)+CO(g)；SiO (g)+2C=SiC+CO(g)。但事實(shí)上有CL2存在，SiO2碳熱還原的基元反應(yīng)中，第2步可能沒(méi)有按式(6)進(jìn)行，而是按式 (7)進(jìn)行，從而導(dǎo)致?tīng)t襯耐火材料中SiO2的不斷“流失”。在殘磚的表面反應(yīng)層，SiO2的“流失”可能是按此過(guò)程損毀的，這與殘磚反應(yīng)層顯微結(jié)構(gòu)中看不到SiC是相吻合的。

在C過(guò)量但并不直接參與反應(yīng)的情況下(即PCO/PCO比值較大 )，反應(yīng)體系中不存在C，那 么SiO2：碳熱還原的反應(yīng)將按照式 (7)進(jìn)行。經(jīng)過(guò)熱力學(xué)計(jì)算，式 (7)反應(yīng)開(kāi)始溫度為1400℃左右。爐襯殘磚在爐況不正常超溫情況下形成變質(zhì)層，其中的SiO2的“流失”可能是按此過(guò)程損毀的。